Статья

Генерация дефектов в GaAs при воздействии лазерных импульсов допороговой энергии

Р.В. Прудников, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1995. № 3. С. 61

Статья

Аннотация

Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики структур Аu—GaAs, сформированных на поверхности арсенида галлия после облучения импульсами рубинового лазера с энергией меньше порога плавления поверхности. Зафиксировано образование дефектов в приповерхностной области полупроводника, что свидетельствует о снижении энергии активации образования центров при лазерном облучении.

English citation: Defect generation in GaAs induced bу laser pulses of subthreshold energy

R.V. Prudnikov, Р.К. Kashkarov, and V.Yu. Timoshenko

Авторы

Р.В. Прудников, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и молекулярной электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2

Выпуск 3, 1995

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.