Статья

Частотная зависимость проводимости по примесям в квантовой яме

И.П. Звягин, В. Ван

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1996. № 6. С. 69

Статья

Аннотация

Найдена частотная зависимость фононной составляющей прыжковой проводимости на переменном токе, связанной с переходами между электронными состояниями на примесях в квантовой яме. Показано, что поперечное электрическое поле может приводить к существенному уменьшению проводимости.

English citation: Frequency dependence of impurity conduction in а quantum well

I.Р. Zvyagin and W. Wang

Авторы

И.П. Звягин, В. Ван
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2

Выпуск 6, 1996

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.