Новый метод определения фотоэлектрических параметров полупроводниковых пластин с р—n переходами

Предложен новый метод определения диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей заряда в пластинах с p-n переходами. Неравновесные носители заряда возбуждаются двумя модулированными одной частотой световыми потоками, один из которых поглощается слабо, а другой — сильно. Условия модуляции этих потоков выбираются такими, чтобы суммарное переменное напряжение на p—n переходе обращалось в нуль. Диффузионная длина определяется по отношению интенсивностей потоков света, время жизни — по частотной зависимости этого отношения либо по сдвигу фаз между модуляциями. Численные расчеты показали применимость метода к кремниевым фотопреобразователям солнечной» энергии. Обсуждаются преимущества метода.