Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Новый метод определения фотоэлектрических параметров полупроводниковых пластин с р—n переходами

О.Г. Кошелев, В.А. Морозова

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1996. № 6. С. 73

  • Статья
Аннотация

Предложен новый метод определения диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей заряда в пластинах с p-n переходами. Неравновесные носители заряда возбуждаются двумя модулированными одной частотой световыми потоками, один из которых поглощается слабо, а другой — сильно. Условия модуляции этих потоков выбираются такими, чтобы суммарное переменное напряжение на p—n переходе обращалось в нуль. Диффузионная длина определяется по отношению интенсивностей потоков света, время жизни — по частотной зависимости этого отношения либо по сдвигу фаз между модуляциями. Численные расчеты показали применимость метода к кремниевым фотопреобразователям солнечной» энергии. Обсуждаются преимущества метода.

English citation:
0.G. Koshelev and V.A. Morozova.
А new method of determination of photoelectric parameters of semiconductor wafers with p-n junctions.
Moscow University Physics Bulletin 1996. N 6. P. 62.
Авторы
О.Г. Кошелев, В.А. Морозова
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Выпуск 6, 1996

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.