Низкотемпературные подвижности электронов в подзонах размерного квантования в комбинированно легированных GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As-гетероструктурах

Исследованы эффект Шубникова-де Гааза, квантовый эффект Холла и электрические транспортные свойства GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As-гетеропереходов, в которых одновременно однородно легирован кремнием слой Al$_x$Ga$_{1-x}$As и $\delta$-легирован слой GaAs, с различным расстоянием $L_{\delta}$ ($200 A<L_{\delta}<1200 A$) от $\delta$-слоя примеси до гетерограницы. Достигнутая максимальная концентрация $2D$-электронов составляет $1.1\cdot10^{13}$ см$^{-2}$ при $L_{\delta}=600 A$. Измерения проведены в диапазоне температур 0,4 К$<Т<$300 К в магнитных полях до 35 Тл. Путем анализа поперечного магнетосопротивления и эффекта Холла определены двумерные концентрации, транспортные и квантовые подвижности электронов в подзонах размерного квантования при низких температурах. Вычислены подвижности электронов при рассеянии на ионизированных примесях в многоподзонном случае.