Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Воздействие сильного электрического поля и ИК-излучения на долговременные релаксации пьезосопротивления в $p$-GaAs/AlGaAs

Е.В. Богданов$^1$, К.И. Колоколов$^1$, В.Н. Кравченко$^1$, Н.Я. Минина$^1$, А.М. Савин$^1$, О.П. Хансен$^2$

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1998. № 1. С. 40

  • Статья
Аннотация

При температурах 4,2 и 77 К исследовано влияние инфракрасного излучения и сильного электрического поля на стимулированные одноосным сжатием долговременные релаксации сопротивления двумерных дырок на гетерогранице $p$-GaAs/Al$_{0,5}$Ga$_{0,5}$As. Обнаружено, что разогрев носителей заряда подсветкой, а при 77 К и электрическим полем, вызывает резкое падение времен релаксации. При 4,2 К электрическое поле выше 200 В/см само вызывает переключение образцов в метастабильное высокоомное состояние.

English citation: Effect of strong electric field and IR radiation on long-term relaxation of piezoresistance in $p$-GaAs/AlGaAs
E.V. Bogdanov, K.I. Kolokolov, V.N. Kravchenko, N.Ya. Minina, A.M. Savin, O.P. Hansen
Авторы
Е.В. Богданов$^1$, К.И. Колоколов$^1$, В.Н. Кравченко$^1$, Н.Я. Минина$^1$, А.М. Савин$^1$, О.П. Хансен$^2$
$^1$Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики низких температур и сверхпроводимости. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
$^2$Лаборатория Эрстеда Института Нильса Бора Копенгагенского университета, Дания
Выпуск 1, 1998

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.