Аннотация
При температурах 4,2 и 77 К исследовано влияние инфракрасного излучения и сильного электрического поля на стимулированные одноосным сжатием долговременные релаксации сопротивления двумерных дырок на гетерогранице $p$-GaAs/Al$_{0,5}$Ga$_{0,5}$As. Обнаружено, что разогрев носителей заряда подсветкой, а при 77 К и электрическим полем, вызывает резкое падение времен релаксации. При 4,2 К электрическое поле выше 200 В/см само вызывает переключение образцов в метастабильное высокоомное состояние.
English citation: Effect of strong electric field and IR radiation on long-term relaxation of piezoresistance in $p$-GaAs/AlGaAs
E.V. Bogdanov, K.I. Kolokolov, V.N. Kravchenko, N.Ya. Minina, A.M. Savin, O.P. Hansen
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Е.В. Богданов$^1$, К.И. Колоколов$^1$, В.Н. Кравченко$^1$, Н.Я. Минина$^1$, А.М. Савин$^1$, О.П. Хансен$^2$
$^1$Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики низких температур и сверхпроводимости. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
$^2$Лаборатория Эрстеда Института Нильса Бора Копенгагенского университета, Дания
$^1$Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики низких температур и сверхпроводимости. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
$^2$Лаборатория Эрстеда Института Нильса Бора Копенгагенского университета, Дания
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.