Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Краткое сообщение

Влияние контакта просветляющее - покрытие полупроводник на сопротивление солнечного элемента

Г.Г. Унтила, А.С. Осипов, А.Б. Чеботарева

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1999. № 4. С. 69

  • Статья
Аннотация

Выводится аналитическое выражение для эффективного последовательного сопротивления солнечного элемента (СЭ) $(n^+$-$p)$Si с просветляющим покрытием из оптически прозрачного проводящего оксида, например оксида сплава индия и олова (indium-tin-oxide - ITO). Выражение показывает зависимость этого сопротивления от параметров СЭ, а именно от величины слоевого сопротивления ITО и $n^+$-cлоя, контактного сопротивления между $n^+$-слоем и ITO, от ширины металлических полосок токособирающей сетки, а также от расстояния между ними.

English citation: Formula for series resistance of a solar cell with a conducting antireflection coating
G.G. Untila, A.S. Osipov, A.B. Chebotareva
Авторы
Г.Г. Унтила, А.С. Осипов, А.Б. Чеботарева
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет; Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына (НИИЯФ МГУ). Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Выпуск 4, 1999

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.