Теплоемкость тонких пленок сегнетоэлектриков вблизи фазового перехода второго рода

В рамках феноменологической модели Ландау для тонких пленок одноосных сегнетоэлектриков исследованы зависимости теплоемкости от температуры и толщины вблизи фазового перехода второго рода. Обнаружено, что при уменьшении толщины тонкой пленки скачок теплоемкости уменьшается, размывается и смещается в сторону более низких температур. При определенной толщине тонкой пленки аномалия теплоемкости исчезает (в частности, для триглицинсульфата - при толщине в несколько нанометров).