Аннотация
Изучены электрофизические свойства и структура пленок стеарата меди, нанесенных на поверхность полупроводников (германий, кремний) методом Ленгмюра-Блоджетт (ЛБ). Показано, что в ЛБ-пленках имеются центры захвата для электронов, перезаряжающиеся при фотоинжекции носителей заряда из объема полупроводника. Установлено, что перезарядка этих центров приводит к упорядочению структуры нанесенных слоев стеарата меди.
English citation: Influence of charged surface electronic states
on the structure of thin langmuir-blodgett films
on semiconductor surface
V.V. Belyaev, V.B. Zaitsev, Т.V. Panova, G.S. Plotnikov, M.L. Zanaveskin
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.В. Беляев, В.Б. Зайцев, Т.В. Панова, Г.С. Плотников, М.Л. Занавескин
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и молекулярной электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и молекулярной электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2