Аннотация
Исследована кинетика темновой проводимости предварительно освещенных пленок $a$-Si:H, слабо легированных бором, после их изохронного отжига в темноте или при наличии слабой подсветки. Установлено, что релаксация медленных метастабильных состояний в условиях подсветки определяется не только термическим, но и фотоиндуцированным отжигом.
English citation: Effect of illumination on isothermal relaxation of photoinduced inetastable states in slightly boron-doped $a$-Si:H films
I.A. Kurova, N.N. Ormont, A.L. Gromadin
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, А.Л. Громадин
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.