Влияние температуры на концентрационную щель в легированных сверхрешетках с контролируемым беспорядком

Найдена температурная зависимость равновесного распределения электронной плотности, отвечающего основному состоянию электронного газа в легированных сверхрешетках с контролируемым беспорядком, создаваемым путем случайных вариаций толщин слоев в процессе роста. Изучен характер температурного изменения мягкой концентрационной щели, возникающей при низких температурах за счет обменного взаимодействия. Показано, что в типичных условиях концентрационная щель сохраняется при температурах $T\le\nu_\textbf{cr}/k\rho_0$, где $\nu_\textbf{cr}\approx(C_x e^2\rho_0/2\eps)^2$ - характерная критическая концентрация, $\rho_0$ - двумерная плотность состояний в яме сверхрешетки, $\eps$ - диэлектрическая проницаемость, $C_x$ - постоянная порядка единицы, а $k$ - постоянная Больцмана.