Излагаются результаты исследования диэлектрической дисперсии сегнетоэлектрика триглицинсульфата (точка Кюри T_C=49,15\dC) в диапазоне частот 10^{-3}\div10^{7} Гц и температур -155\div90\dC. В параэлектрической фазе дисперсия отсутствует или крайне мала. Дисперсии в своей классической форме формируется только при T=T_C. Возникшая доменная структура рассматривается как доминирующая причина дисперсии. В высокочастотной области ее вклад связывается с колебаниями доменной стенки, в низкочастотной - также и с образованием новых доменов, т.е. с процессами переполяризации в малых полях. В области инфранизких частот отмечено проявление вклада в дисперсию собственной электропроводности. При T\cong T_C на частотах <10^{-1} Гц наблюдалось образование запорного слоя, снижающего измеряемое значение диэлектрической проницаемости образца на два порядка.
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полимеров и кристаллов, кафедра общей физики и волновых процессов. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2.