О дисперсии диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика триглицинсульфата (ТГС) в широкой области температур

Излагаются результаты исследования диэлектрической дисперсии сегнетоэлектрика триглицинсульфата (точка Кюри $T_C=49,15$\dC) в диапазоне частот $10^{-3}\div10^{7}$ Гц и температур $-155\div90$\dC. В параэлектрической фазе дисперсия отсутствует или крайне мала. Дисперсии в своей классической форме формируется только при $T=T_C$. Возникшая доменная структура рассматривается как доминирующая причина дисперсии. В высокочастотной области ее вклад связывается с колебаниями доменной стенки, в низкочастотной - также и с образованием новых доменов, т.е. с процессами переполяризации в малых полях. В области инфранизких частот отмечено проявление вклада в дисперсию собственной электропроводности. При $T\cong T_C$ на частотах $<10^{-1}$ Гц наблюдалось образование запорного слоя, снижающего измеряемое значение диэлектрической проницаемости образца на два порядка.