Статья

Использование сфокусированного ионного пучка при создании молекулярного одноэлектронного транзистора

И.В. Сапков$^1$, В.В. Колесов$^2$, Е.С. Солдатов$^1$

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 2009. № 4. С. 26

Статья

Аннотация

Созданы чипы-заготовки для молекулярного одноэлектронного транзистора с использованием технологии травления сфокусированным ионным пучком, характеризующейся высокой скоростью проведения процесса, воспроизводимостью результатов, снижением требований к предшествующим литографическим операциям и вполне реальными перспективами уменьшения ширины зазора. Определены оптимальные параметры по разрезанию металлической перемычки электродов, позволяющие получать зазор в 70 нм, приемлемый для дальнейших операций по формированию системы <<нависающих>> электродов.

Поступила: 23 декабря 2008

Статья подписана в печать: 23 сентября 2009

PACS:

85.65.+h Molecular electronic devices

English citation: Using a focused ion beam for the creation of a molecular single-electron transistor

I.V. Sapkov, V.V. Kolesov, E.S. Soldatov

Авторы

И.В. Сапков$^1$, В.В. Колесов$^2$, Е.С. Солдатов$^1$
$^1$Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра атомной физики, физики плазмы и микроэлектроники; лаборатория криоэлектроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2.
$^2$Институт радиотехники и электроники РАН. Россия, 101999, Москва, ул. Моховая, д. 11, корп. 7

Выпуск 4, 2009

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.