Аннотация
Установлено, что в высокочувствительных слоистых пленках аморфного гидрированного кремния (a-Si:H), полученных методом циклического осаждения с послойным отжигом в водородной плазме, величины и температурные зависимости темновой проводимости и фотопроводимости предварительно освещенных пленок зависят от температуры освещения. Получено, что кинетика релаксации темновой проводимости этих пленок после выключения освещения немонотонна. Наблюдаемые эффекты могут быть объяснены быстрым и медленным процессами изменения распределения плотности энергетических состояний в нижней половине запрещенной зоны во время освещения пленок и после его выключения.
Поступила: 10 апреля 2009
Статья подписана в печать: 9 октября 2009
PACS:
61.43.Dq Amorphous semiconductors, metals, and alloys
71.23.Cq Amorphous semiconductors, metallic glasses, glasses
71.55.Jv Disordered structures; amorphous and glassy solids
71.23.Cq Amorphous semiconductors, metallic glasses, glasses
71.55.Jv Disordered structures; amorphous and glassy solids
English citation: The effect of illumination on dark conductivity and photoconductivity of hydrogenated amorphous silicon layered films
I.A. Kurova, N.N. Ormont
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
И.А. Курова, Н.Н. Ормонт
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2