Уровни размерного квантования валентной зоны и коэффициент оптического усиления в напряженных структурах $p$-AlGaAs/GaAsP/$n$-AlGaAs при одноосном сжатии

Проведен численный расчет зонной структуры, уровней размерного квантования и волновых функций в зоне проводимости и в валентной зоне напряженных гетероструктур n-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs$_{y}$P$_{1-y}$/p-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As (y = 0.84) при одноосном сжатии вдоль [110]. Расчет свидетельствует о сублинейном возрастании эффективной оп-тической щели в квантовой яме GaAs$_{0.84}$P$_{0.16}$, сильном смешивании состояний легких и тяжелых дырок и слиянии соответствующих основных состояний в квантовой яме валентной зоны при давлении 4.5-5 кбар. Расчет матричных элементов оператора электрон-фотонного взаимодействия для системы возможных межзонных переходов позволяет определить коэффициент оптического усиления для ТЕ- и ТМ-мод, возрастание которого в 2-4 раза при одноосном сжатии согласуется с опубликованными ранее экспериментальными данными о росте интенсивности электролюминесценции.