ВПроведено теоретическое исследование влияния электрического поля на процесс 1D- и 2D-туннелирования в квантовой молекуле, находящейся в диэлектрической матрице и матрице из метаматериала (с эффективно отрицательной диэлектрической проницаемостью) при конечной температуре в одноинстантонном приближении. Показано, что устойчивый режим 2D-бифуркаций в такой матрице может иметь место в существенно более узком диапазоне параметров по сравнению с обычными диэлектрическими матрицами. Проведено качественное сравнение зависимости вероятности 1D-диссипативного туннелирования от напряженности внешнего электрического поля с экспериментальной туннельной вольт-амперной характеристикой для полупроводниковых квантовых точек из InAS/GaAs.
73.63.Kv Quantum dots
$^1$Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра теоретической физики. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
$^2$Пензенский государственный университет, кафедра «Физика». Россия, 440026, г. Пенза, ул. Красная, д. 40
$^3$Евразийский национальный университет имени Л.И. Гумилева. Астана, Казахстан
$^4$Исследовательский институт при Международном медицинском центре Токио. Япония, Токио
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.