Аннотация
В работе моделируется взаимодействие осаждаемых атомов c пленкой диоксида кремния в случае использования высокоэнергетических процессов для напыления оптических нанопокрытий. Используется метод молекулярной динамики с классическим силовым полем для описания взаимодействия между атомами. Оценено характерное время быстрой релаксации кинетической энергии осаждаемого атома, характерная глубина его проникновения в пленку. Показано, что существенное значение для формирования покрытий имеет угловое распределение скоростей напыляемых атомов.
Поступила: 21 февраля 2013
Статья подписана в печать: 25 сентября 2013
PACS:
31.15.-p Calculations and mathematical techniques in atomic and molecular physics
English citation: Spatial and temporal effects upon deposition of particles onto thin films of silicon dioxide produced using high-energy deposition processes
F.V. Grogoriev, V.B. Sulimov, O.A. Kondakova, I.V. Kochikov, A.V. Tikhonravov
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Ф.В. Григорьев, В.Б. Сулимов, О.А. Кондакова, И.В. Кочиков, А.В. Тихонравов
Научно-исследовательский вычислительный центр Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 4
Научно-исследовательский вычислительный центр Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 4