В работе получены туннельные вольт-амперные характеристики для растущих квантовых точек из коллоидного золота в системе совмещенного атомно-силового и сканирующего туннельного микроскопа. Предполагается, что основной вклад в туннельный ток вносит ионная проводимость. Проведено качественное сравнение туннельных вольт-амперных характеристик с рассчитанной теоретической кривой полевой зависимости вероятности 2D-диссипативного туннелирования с учетом влияния двух локальных фононных мод широкозонной матрицы. Установлено качественное соответствие экспериментальной и теоретической кривых, что свидетельствует о возможном вкладе механизма диссипативного туннелирования в туннельный ток через растущую квантовую точку под иглой кантилевера, который может быть усилен в кластерах размером от 1 до 5 нм в более тонких пленках.
03.65.Sq Semiclassical theories and applications
31.15.Gy Semiclassical methods
31.15.Kb Path-integral methods
$^1$Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра теоретической физики. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2.
$^{2,4}$Пензенский государственный университет, факультет приборостроения, информационных технологий и электроники,
$^2$кафедра «Физика»;
$^4$кафедра «Приборостроение». Россия, 440026, Пенза, ул. Красная, д. 40, ПГУ.
$^3$Научно-исследовательский физико-технический институт при НГГУ имени Н.И. Лобачевского. Россия, 603950, Нижний Новгород, просп. Гагарина, д. 23, корп. 3.
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.