Разработан метод изготовления предельно малых металлических наноструктур с использованием коммерчески доступного низкомолекулярного полистирола в качестве негативного резиста для электронной литографии, наносимого методом термического испарения. Метод позволяет формировать структуры с высоким ($5\div10\,\text{нм}$) пространственным разрешением на поверхности произвольной формы и демонстрирует высокий процент выхода годных образцов. Разработаны технологические процессы и приведены их параметры для изготовления массивов параллельных полосок, точек, сходящихся электродов и электродов с нанозазорами. Продемонстрирована возможность создания наноструктур на острие кантилевера сканирующего зондового микроскопа.
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра полупроводников, лаборатория "Криоэлектроника", Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2. Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына, Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2.
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.