Проведены измерения методами сканирующей туннельной микроскопии/ спектроскопии (СТМ/СТС), рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) и выполнены ab initio вычисления плотности электронных состояний для молекул фторфуллеренов на поверхности полупроводников и металлов. Рассмотрено поведение молекул фторфуллеренов с разным стехиометрическим составом. Установлено, что сильно полярная молекула C$_{60}$F$_{18}$ предпочитает быть ориентированной атомами фтора по направлению к поверхности полупроводников. В случае металлической поверхности возможно отклонение дипольного момента от направления нормали к поверхности, вызванное балансом между межмолекулярным взаимодействием и взаимодействием между молекулой и поверхностью. Молекулы фторфуллеренов имеют тенденцию к потере ими атомов фтора в течение времени, что позволяет использовать их в качестве источника фтора в процессах фторирования поверхности металлов и осуществления локальной химической реакции на поверхности полупроводников.
$^1$1 - Физический факультет МГУ имени М.В.Ломоносова,\
$^2$Башкирский государственный медицинский университет\
$^3$ГАИШ МГУ\
$^4$ICB, UMR 6303 CNRS-Universit de Bourgogne Franche-Comt, Dijon 21078 France