Методом компьютерного моделирования исследовано влияние дефектов интерфейса на величину поля обменного смещения в бислойной системе ферромагнетик/антиферромагнетик. Изучен случай тонкой ферромагнитной пленки на толстой антиферромагнитной подложке. Исследование проведено в рамках модели Изинга. Использован алгоритм Метрополиса. Дефекты поверхности подложки моделируются как случайные точечные немагнитные примеси. Поле обменного подмагничивания определяется по смещению петли гистерезиса. Получена зависимость поля обменного подмагничивания от концентрации дефектов на поверхности подложки при различных температурах.
$^1$Омский государственный технический университет\
$^2$Сибирский государственный автомобильно-дорожный университет (СибАДИ)
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.