Аннотация
Продемонстрирован метод измерения группового индекса и дисперсии диэлектриков в схеме накачка-зондирование на примере кристалла ZnSe. Вызванная мощным сверхкоротким импульсом накачки ионизация кристалла приводит к рассеянию и поглощению следующей позади импульса накачки части широкополосного зондирующего импульса при его дисперсионном расплывании в кристалле. Варьирование задержки между импульсами позволяет управлять спектром, прошедшем через кристалл, а также восстановить групповой индекс и дисперсию кристалла.
Поступила: 26 апреля 2024
Статья подписана в печать: 8 октября 2024
PACS:
42.65.Re Ultrafast processes; optical pulse generation and pulse compression
42.65.An Optical susceptibility, hyperpolarizability
42.65.An Optical susceptibility, hyperpolarizability
English citation: Method for measuring the dispersion and group index of dielectrics near the bandgap edge using ultrashort laser pulses
I. V. Savitsky, P. B. Glek, R. M. Aliev, E. A. Stepanov, A. A. Voronin, A. A. Lanin, A. B. Fedotov
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
И. В. Савицкий$^1$, П. Б. Глек$^1$, Р. М. Алиев$^1$, Е. А. Степанов$^{1,2}$, А. А. Воронин$^{1,2}$, А. А. Ланин$^{1,2}$, А. Б. Федотов$^{1,2}$
$^1$undefined\
$^2$Российский Квантовый Центр,
$^1$undefined\
$^2$Российский Квантовый Центр,