Brief Report

Investigating the density of localized electron states in amorphous hydrogenized silicon bу the method of frequency dispersion of the Schottky-barrier capacitance

R.V. Prudnikov

Moscow University Physics Bulletin 1989. 1989. N 6. P. 84

Article

Annotation

Показано, что кривые частотной дисперсии емкости барьера Шоттки на аморфных полупроводниках можно использовать для расчета распределения плотности электронных локализованных состояний в запрещенной зоне. Показано удовлетворительное согласие полученных результатов с известными из литературы.

Authors

R.V. Prudnikov
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2

Issue 6, 1989

Moscow University Physics Bulletin

Science News of the Faculty of Physics, Lomonosov Moscow State University

This new information publication, which is intended to convey to the staff, students and graduate students, faculty colleagues and partners of the main achievements of scientists and scientific information on the events in the life of university physicists.