Annotation
Исследовано возникновение анизотропных механических напряжений в пленках на основе полупроводниковых соединений $А^4В^6$. Показано, что переходный слой, образованный взаимной диффузией элементов плёнки и подложки, является причиной формирования сетки дислокаций несоответствия.
© 2016 Publisher M.V.Lomonosov Moscow State University
Authors
Yu.V. Kochetkov, V.N. Nikiforov, О.N. Vasil'eva, and А.М. Gas'kov
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики низких температур. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики низких температур. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2