Impurity screening in compensated semiconductors

Рассчитан ряд эффектов случайного поля в компенсированных полупроводниках в условиях примесного экранирования. Найдено распределение потенциальной энергии в зависимости от степени компенсации К и радиуса экранирования $r_0$. Самосогласованным образом определены зависимости $r_0$ и уровня Ферми от К и температуры. Конкретные результаты даны для случая германия с многозарядным акцептором — золотом и донорами.