Parametric pulsed excitation in a circuit with a nonlinear capacitance
Parametric pulsed excitation in a circuit with a nonlinear capacitance
V.P. Komolov and V.A. Roznyatovskii
Meridional ozone transport in the atmosphere
Meridional ozone transport in the atmosphere
V.M. Berezin and N.F. Elanskti
Kinetics and thermodynamics of a mixture of heavy and light gases with an arbitrary (quasi)steady distribution of one component
Kinetics and thermodynamics of a mixture of heavy and light gases with an arbitrary (quasi)steady distribution of one component
E.V. Stupochenko
Стабилизированный источник света
Стабилизированный источник света
В.П. Бородулин
Описано электронное устройство, регулирующее интенсивность излучения галогенной лампы накаливания, работающее по принципу следящей системы с отрицательной обратной связью по световому потоку. Приведены энергетические спектры излучения вольфрама в области длин волн от 200 до 2000 нм для температур от 1600 до 3600 К и обсуждена возможность использования данного источника света в спектрофотометрических экспериментах.
Show AbstractО регистрации α-частиц низких энергий в околоземном космическом пространстве
О регистрации α-частиц низких энергий в околоземном космическом пространстве
В.И. Лазарев, Б.В. Марьин, М.В. Тельцов
Описана методика одновременной регистрации спектров α-частиц и протонов низких энергий в космическом пространстве. Объединение электростатического анализатора и тонкого полупроводникового детектора, включаемого в регистрирующий тракт с низким уровнем шумов, позволяет существенно снизить энергетический порог спектрометра α-частиц. Показано, что регистрация α-частиц с эффективностью (~30—40%) может производиться начиная с 40 кэВ. С увеличением энергии α-частиц эффективность их регистрации увеличивается.
Show AbstractСинтез многослойных непоглощающих покрытий с помощью метода градиентного спуска
Синтез многослойных непоглощающих покрытий с помощью метода градиентного спуска
А.В. Тихонравов, А.Ю. Клементьева
Рассматривается задача синтезирования многослойных покрытий с коэффициентом пропускания, приближающимся к требуемому с некоторой заданной точностью. Метод не требует задания начальной системы. Приводятся примеры получения трех видов покрытий, применяющихся на практике.
Show AbstractГравитационное поле квазистационарных сосредоточенных систем без вращения (II)
Гравитационное поле квазистационарных сосредоточенных систем без вращения (II)
В.И. Хлебников
Получена серия решений уравнений Эйнштейна—Максвелла с А-членом, описывающая гравитационное поле квазистационарных сосредоточенных систем, содержащих электрический и магнитный заряды. Найденные метрики принадлежат типу D, по Петрову, и обладают нулевым вращением и сдвигом. Приведена физическая интерпретация полученных решений. В настоящей, второй части работы содержится интегрирование полной системы уравнений Ньюмана—Пенроуза при сформулированных предположениях.
Show AbstractОсобенности траекторий корней идентичных двумерных систем с запаздыванием
Особенности траекторий корней идентичных двумерных систем с запаздыванием
Г.А. Бендриков, В.В. Волков
Рассмотрены корневые годографы многоконтурных систем с «чистым» запаздыванием, включенном в различные цепи и выяснена специфика корневых годографов в этих случаях.
Show AbstractО единственности в одной обратной задаче геофизики
О единственности в одной обратной задаче геофизики
В.Б. Гласно, Л.Г. Гущина
Поставлена задача определения плотностного разряда земной коры по дисперсии поверхностных сейсмических волн и доказывается единственность решения этой за- зачи.
Show AbstractК теории внутреннего фотоэффекта в полупроводнике с плавно меняющимся гауссовским случайным полем
К теории внутреннего фотоэффекта в полупроводнике с плавно меняющимся гауссовским случайным полем
В.Л. Бонч - Бруевич, П.Г. Жуматий
С учетом зависимости параметров случайного поля от концентрации свободных носителей заряда изучено влияние хвостов плотности состояний в неупорядоченных полупроводниках на концентрацию названных носителей в условиях стационарной их генерации. Показано, что при некоторых условиях в невырожденном полупроводнике реализуется сублинейный рост концентрации свободных носителей заряда с увеличением скорости генерации.
Show Abstract
