Аннотация
С учетом зависимости параметров случайного поля от концентрации свободных носителей заряда изучено влияние хвостов плотности состояний в неупорядоченных полупроводниках на концентрацию названных носителей в условиях стационарной их генерации. Показано, что при некоторых условиях в невырожденном полупроводнике реализуется сублинейный рост концентрации свободных носителей заряда с увеличением скорости генерации.
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.Л. Бонч - Бруевич, П.Г. Жуматий
Кафедра физики полупроводников
Кафедра физики полупроводников
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.