К теории внутреннего фотоэффекта в полупроводнике с плавно меняющимся гауссовским случайным полем

С учетом зависимости параметров случайного поля от концентрации свободных носителей заряда изучено влияние хвостов плотности состояний в неупорядоченных полупроводниках на концентрацию названных носителей в условиях стационарной их генерации. Показано, что при некоторых условиях в невырожденном полупроводнике реализуется сублинейный рост концентрации свободных носителей заряда с увеличением скорости генерации.