Issue 6, 1989
Asymmetry of neutrino emission in а magnetic field and self-acceleration of neutron stars.II.
Asymmetry of neutrino emission in а magnetic field and self-acceleration of neutron stars.II.
Yu.М. Loskutov and К.V. Parfenov
Анализируется индуцируемая внешним магнитным полем асимметрия испускания нейтрино в модифицированном УРКА-процессе с учетом влияния плотной нуклонной среды. Результаты применяются для изучения эффекта самоускорения нейтронной звезды.
Show AbstractAnalysis of the phenomenon of resonance electromagnetic-wave absorption using the method of discrete sources
Analysis of the phenomenon of resonance electromagnetic-wave absorption using the method of discrete sources
Yu.А. Eremin and А.G. Sveshnikov
Рассматривается вопрос создания теоретических основ дозиметрии электромагнитных излучений. На основе реализации метода дискретных источников исследуются эффекты резонансного поглощения электромагнитных волн биологическими рассеивателями.
Show AbstractOptimization of the method of particle identification according to the shape of а pulse in а Csl(Тl) crystal
Optimization of the method of particle identification according to the shape of а pulse in а Csl(Тl) crystal
А.А. Gusev, М.I. Panasyuk, G.I. Pugacheva, L. Мikhaeli, and Уа. Shagila
Сравниваются различные методы численного анализа формы сцинтилляционного импульса в кристалле CsI(Tl), реализованные с помощью микропроцессорного устройства. Показано, что наиболее эффективен численный метод, основанный на сравнении измеренного профиля с эталонным.
Show AbstractCalculation of the radiation spectrum of а solid-state laser with а periodically varying resonator length
Calculation of the radiation spectrum of а solid-state laser with а periodically varying resonator length
О.N. Evdokimova, L.N. Кaptsov, and Кim Quan
На модели балансных уравнений 15-модового лазера численно показано, что эффект расширения спектра генерации и образование провала в середине спектра при периодически меняющейся длине резонатора наблюдаются в ограниченной сверху области частот, зависящей от амплитуды качания зеркала.
Show AbstractMechanism governing the interaction of а photosensitizer of the porphyrin type with the lipid bilayer of а cell membrane: mathematical model and fluorescence spectroscopy
Mechanism governing the interaction of а photosensitizer of the porphyrin type with the lipid bilayer of а cell membrane: mathematical model and fluorescence spectroscopy
N.V. Stepanova and Е.В. Chemyaeva
Исследована модель динамики внутриклеточного накопления гематопорфирина (ГП) — фотосенсибилизатора, используемого в фотодинамической терапии рака. Предложен метод определения константы взаимодействия ГП с липидами с помощью анализа спектров флуоресценции ГП в суспензии липосом.
Show AbstractOn the dialogue approach to the solution of the problem of analyzing and interpreting а Mossbauer spectrum
On the dialogue approach to the solution of the problem of analyzing and interpreting а Mossbauer spectrum
А.А. Kozlov, V.I. Nikolaev, Yu.Р. Pyt'ev, V.S. Rusakov, and А.Yu. Selina
На примере мёссбауэровского фазового анализа одного из образцов литиевой шпинели продемонстрированы принципиально новые возможности и преимущества диалогового подхода, который обеспечивает целенаправленность и оперативность в решении задачи анализа и интерпретации экспериментальных данных.
Show AbstractEffect of saturation on superluminescence field structure in an anisotropically intensifying medium
Effect of saturation on superluminescence field structure in an anisotropically intensifying medium
N.А. Domnina, V.V. Lebedeva, А.I. Odintsov, and R.I. Sokolovskii
Теоретически и экспериментально исследовано влияние насыщения усиления на оптические характеристики суперлюминесценции в сильноточном газовом разряде на линии NeI $\lambda$=614,3 нм. Качественные изменения в структуре поля объясняются различным темпом насыщения $\pi$ - и $\sigma$-компонент излучения в анизотропно усиливающей среде.
Show AbstractCombined mode locking of an $Ar^+$-laser
Combined mode locking of an $Ar^+$-laser
А.А. Angeluts, D.Р. Кrindach, and Е.I. Novoderezhkin
Теоретически и экспериментально исследованы активный, пассивный и комбинированный режимы синхронизации мод $Ar^+$-лазера. Рассмотрены зависимости длительности и энергии импульсов от плотности их энергии в усилителе и прозрачности выходного зеркала.
Show AbstractExperimental determination of the flow parameters behind spherical shock waves
Experimental determination of the flow parameters behind spherical shock waves
А.М. Galkin, D.А. Mazalov, N.N. Sysoev, and F.V. Shugaev
Проведены систематические экспериментальные исследования поля течения газа при фокусировании лазерного излучения на преграду в воздухе. Определены границы применимости теории точечного взрыва для описания газодинамических процессов ($\lambda\sim 0,7$ мкм).
Show AbstractFormation of point defects on an NaCl surface for irradiation with slow ions
Formation of point defects on an NaCl surface for irradiation with slow ions
V.G. Babaev, М.В. Guseva, and V.V. Кhvostov
Приведены результаты исследования поверхности (100) NaCl методом спектроскопии характеристических потерь. Определен тип точечных дефектов, образующихся в результате облучения ионами аргона с энергиями от 100 до 2500 эВ и изменения их концентрации в процессе отжига.
Show AbstractInvestigation of the magnetic-reversal zone in the neighЬorhood of the gap in а magnetoconductor at high frequencies
Investigation of the magnetic-reversal zone in the neighЬorhood of the gap in а magnetoconductor at high frequencies
V.Е. ZuЬov and G.S. Кrinchik
С помощью магнитооптического метода наблюдалось резкое расширение зоны перемагничивания поверхности в проводящем ферромагнетике в окрестности зазора при росте частоты. Установлено различие механизмов перемагничивания горизонтальной и нормальной к поверхности составляющих намагниченности.
Show AbstractVariation of atomic emission from the surface of а nickel single crystal during а magnetic phase transition
Variation of atomic emission from the surface of а nickel single crystal during а magnetic phase transition
N.G. Anan'eva, А.N. Matveev, and V.N. Samoilov
С помощью моделирования на ЭВМ рассчитаны особенности эмиссии атомов из узла на поверхности грани (001) монокристалла Ni в направлениях, близких к нормали к поверхности, и впервые исследованы изменения траекторий эмитируемых частиц при p$\to$f переходе.
Show AbstractStructural phase transitions in crystals having the space group $C^5{}_{3v}$·
Structural phase transitions in crystals having the space group $C^5{}_{3v}$·
А.I. Lebedev
Проведен теоретико-групповой анализ фазовых переходов 2-го рода, допускаемых в кристаллах с пространственной группой $R3m(C^5{}_{3v})$ Проанализированы условия появления и устойчивость низкосимметричных фаз, рассмотрена физическая реализация параметра порядка для всех фазовых переходов.
Show AbstractOne-dimensional gravitation on а closed manifold
One-dimensional gravitation on а closed manifold
А.Р. Demichev and М.Z. Iofa
Исследуется одномерная общековариантная теория поля на многообразии, топологически эквивалентном, окружности. Показана необходимость модификации в данной модели квантового BRST-оператора. Установлена связь с однопетлевыми амплитудами в полевой теории на евклидовом d-мерном пространстве.
Show AbstractAnomaly of the overall ozone content in the Northem Hemisphere in 1983
Anomaly of the overall ozone content in the Northem Hemisphere in 1983
А.Кh. Кhrgian and А.А. Kukoleva
Рассмотрены связь уменьшения общего содержания озона в Северном полушарии в 1983 г. с динамикой атмосферы, его распределение по вертикали и связь с температурой. Результаты получены на основе материала сборников «Ozone Data for the World» за 1984 г.
Show AbstractEffect of initial defects of а GaAs aystal on laser-stimulated modification of recombination centers
Effect of initial defects of а GaAs aystal on laser-stimulated modification of recombination centers
I.S. Begichev, Р.К. Кashkarov, and V.Yu. Тimoshenko
Исследовалось лазерно-индуцированное дефектообразование в монокристаллах GaAs, исходная дефектность которых варьировалась посредством имплантации ионов $Ar^+$. Показано, что в зависимости от дозы имплантации лазерное излучение вызывает либо генерацию, либо отжиг центров. Обсуждается возможный механизм явления.
Show AbstractAcceleration of charge relaxation of slow sшface states of germanium subjected to IR-laser radiation
Acceleration of charge relaxation of slow sшface states of germanium subjected to IR-laser radiation
А.V. Zoteev, V.F. Кiselev, and G.S. Plotnikov
Показано, что возбуждение локальных фононов на границе раздела $Ge—GeO_2$ излучением $CO_2$-лазера приводит к ускорению релаксации заряда в медленных электронных состояниях, расположенных вблизи указанной границы.
Show AbstractEffect of partial amorphization of the surface layer on the integral and differential glancing X-ray diffraction curves
Effect of partial amorphization of the surface layer on the integral and differential glancing X-ray diffraction curves
I.А. Shipov and М.А. Andreeva
Расчетным путем показано, что частичная аморфизация поверхностного слоя может уменьшать абсолютные значения интенсивности интегральных кривых РД ПВО, а наиболее достоверно обнаруживается в осциллирующем поведении «хвостов» дифференциальных кривых РД ПВО.
Show AbstractMagnetic phase diagram and anisotropy of the magnetoelastic properties of $Tb_{0,5} Dy_{0,5}$
Magnetic phase diagram and anisotropy of the magnetoelastic properties of $Tb_{0,5} Dy_{0,5}$
G.I. Кataev, М.R. Sattarov, and А.М. Tishin
По экспериментальным значениям модулей Юнга вдоль различных кристаллографических направлений в магнитных полях до 1,45 Тл в области температур магнитных превращений построена магнитная фазовая диаграмма монокристалла $Tb_{0,5} Dy_{0,5}$
Show AbstractInvestigating the density of localized electron states in amorphous hydrogenized silicon bу the method of frequency dispersion of the Schottky-barrier capacitance
Investigating the density of localized electron states in amorphous hydrogenized silicon bу the method of frequency dispersion of the Schottky-barrier capacitance
R.V. Prudnikov
Показано, что кривые частотной дисперсии емкости барьера Шоттки на аморфных полупроводниках можно использовать для расчета распределения плотности электронных локализованных состояний в запрещенной зоне. Показано удовлетворительное согласие полученных результатов с известными из литературы.
Show Abstract