Аннотация
Исследованы температурные зависимости захвата фотоинжектированных из полупроводника носителей заряда на электронные ловушки окисла в системе Ge— GeO$_2$. Определено положение границы между делокализованными и локализованными состояниями окисного слоя. Показано, что перенос фотоинжектированных носителей заряда по локализованным состояниям «хвоста» осуществляется по прыжковому механизму.
English citation: On the photo-injection method of investigation of the charge carriers transport mechanism in dielectric layer of the dielectric-semiconductor system
R.K. Кashkarоv, S.N. Коzlоv, N.V. Mоrоzоv
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
П.К. Кашкаров, С.Н. Козлов, Н.В. Морозов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2.
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2.
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.