Аннотация
На основе дисперсионной модели времен перезарядки энергетических уровней теоретически рассчитаны кривые частотной дисперсии емкости барьера Шоттки на аморфном гидрированном кремнии. Проведено сравнение с экспериментом и показано, что модель удовлетворительно объясняет экспериментальные результаты.
English citation: Frequency dispersion in the capacitance of a Schottky barrier on amorphous hydrogenated silicon
R.V. Prudnikov, A.P. Gus'kov, V.O. Abramov
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Р.В. Прудников, А.П. Гуськов, В.О. Абрамов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.