Аннотация
Получено выражение для пространственного распределения неравновесных носителей в варизонном полупроводнике при возбуждении сфокусированным электронным зондом. Из сравнения расчетных спектров с экспериментальными оценены диффузионная длина и приведенная скорость поверхностной рекомбинации.
English citation: Local cathodoluminescence of graded-gap semiconductors
V.I. Petrov, E.E. Skvortsova, A.V. Shabalin
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.И. Петров, Е.Е. Скворцова, А.В. Шабалин
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.