Статья

Влияние инжекции электронов из Si в $SiO_2$ на электрическую нестабильность МДП-структуры

Ю.Н. Касумов, С.Н. Козлов

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1989. № 4. С. 73

Статья

Аннотация

Исследована электрическая нестабильность кремниевых МДП-структур в зависимости от количества электронов, инжектированных из кремния в слой $SiO_2$. Инжекция электронов осуществлялась методом лавинного пробоя приповерхностной области кремния.

English citation: Influence of electron injection from Si into $SiO_2$ on the electrical instability of metal- dielectric - semiconductor structures

Yu.N. Kasumov and S.N. Kozlov

Авторы

Ю.Н. Касумов, С.Н. Козлов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2

Выпуск 4, 1989

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.