Особенности краевого поглощения диарсенида кадмия

Проведены совместные исследования спектров оптического поглощения $\alpha(h\nu)$ и фотопроводимости структурно совершенных анизотропных монокристаллов $CdAs_2$ для поляризаций $E\parallel C$ и $E\perp C$. Показано, что поведение спектров $\alpha(h\nu)$ в области края собственного поглощения хорошо описывается теорией образования экситонов посредством непрямых переходов. Оценена энергия связи экситонов в $CdAs_2$: $G\le10 мэВ$. В области температур 293—78 К определены величины экситонной ширины запрещенной зоны (так, $\epsilon_{ge}^{\parallel} = 0,980$, $\epsilon_{ge}^{\perp}= 0,985 $ эВ для 293К) и энергии фононов, участвующих в переходах.