Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Частотная зависимость проводимости по примесям в квантовой яме

И.П. Звягин, В. Ван

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1996. № 6. С. 69

  • Статья
Аннотация

Найдена частотная зависимость фононной составляющей прыжковой проводимости на переменном токе, связанной с переходами между электронными состояниями на примесях в квантовой яме. Показано, что поперечное электрическое поле может приводить к существенному уменьшению проводимости.

English citation:
I.Р. Zvyagin and W. Wang.
Frequency dependence of impurity conduction in а quantum well.
Moscow University Physics Bulletin 1996. N 6. P. 62.
Авторы
И.П. Звягин, В. Ван
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Выпуск 6, 1996

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.