Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Об определении параметров зонной структуры ZnAs$_2$

В.А. Морозова, С.Ф. Маренкин, О.Г. Кошелев

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 2000. № 2. С. 49

  • Статья
Аннотация

Предложен способ, позволивший учесть рассеяние света в ZnAs$_2$ и получить спектр поглощения $\alpha^\parallel(h\nu)$. Установлено, что при поляризации $E\parallel c$ край поглощения определяется непрямым и прямым разрешенными переходами (разность энергий между ними 64 мэВ), происходящими с участием экситонных состояний. Определена ширина запрещенной зоны для обоих переходов в области $80 \div 300$ К.

English citation: On the determination of the ZnAs$_2$ band structure parameters
V.A. Morozova, S.F. Marenkin, 0.G. Koshelev
Авторы
В.А. Морозова, С.Ф. Маренкин, О.Г. Кошелев
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Выпуск 2, 2000

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.