Аннотация
При температурах $T>400$ К обнаружен аномальный эффект Стеблера-Вронского в высокоомных нелегированных пленках $a$-Si:H - монотонное возрастание темновой проводимости и фотопроводимости при освещении и немонотонное изменение проводимости после освещения. Немонотонная релаксация проводимости описывается суммой двух растянутых экспонент с разными параметрами $\tau$ и $E$. Показано, что обнаруженный эффект можно объяснить образованием двух типов метастабильных состояний - оборванных связей кремния и электрически активных атомов неконтролируемой примеси донорного типа.
English citation: The high-temperature Staebler-Wronski effect in undoped high-resistance $a$-Si:H films
I.A. Kurova, N.N. Ormont
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
И.А. Курова, Н.Н. Ормонт
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2