Метод определения распределения фотопроводимости и времени ее релаксации по толщине полупроводниковых пластин

Предложен бесконтактный метод определения зависимости фотопроводимости и времени ее релаксации от расстояния до поверхности высокоомной плоскопараллельной полупроводниковой пластины, освещаемой модулированным по интенсивности светом и помещаемой в середину открытого конфокального резонатора перпендикулярно его оси. Метод основан на измерении глубины модуляции пропускания резонатора на нескольких частотах, при которых оптическая толщина пластины равна целому числу полуволн, для положений пластины, при которых разность фаз между интерферирующими волнами на ее поверхностях кратна $\pi/2$. Методом компьютерного моделирования изучено влияние экспериментальных ошибок на точность определения рассматриваемых зависимостей.