Настоящий обзор посвящен обсуждению перспектив решения проблемы низкой степени интеграции традиционных базовых элементов современной сверхпроводниковой цифровой электроники. Выделены три основных направления на пути к компактным многоэлементным джозефсоновским электронным системам: 1) уменьшение до субмикронных размеров самого джозефсоновского контакта; 2) уменьшение типовых логических ячеек; 3) создание компактной и быстрой джозефсоновской памяти. Соответственно в работе излагаются физические основы функционирования джозефсоновских элементов, с тем чтобы показать фундаментальные ограничения, препятствующие созданию стандартных туннельных субмикронных контактов и компактных логических ячеек/элементов памяти. В обзоре наглядно продемонстрирована суть прорывных технологических решений, позволяющих создавать сверхмалые гетероструктуры с требуемыми параметрами, уменьшать и оптимизировать логические ячейки, а также создавать системы памяти на основе джозефсоновских контактов с магнитными слоями.
85.25.Hv Superconducting logic elements and memory devices; microelectronic circuits
85.75.Dd Magnetic memory using magnetic tunnel junctions
74.50.+r Tunneling phenomena; Josephson effects
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
$^1$физический факультет, кафедра атомной физики, физики плазмы и микроэлектроники
$^2$Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
$^3$Научно-исследовательский институт физических проблем имени Ф.В. Лукина. Россия, 124460, Москва, г. Зеленоград, пр-д 4806, д. 6