Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Одноэлектронный транзистор с островом из нескольких примесных атомов фосфора

С. А. Дагесян$^1$, В. В. Шорохов$^1$, Д. Е. Преснов$^{1,2}$, Е. С. Солдатов$^1$, А. С. Трифонов$^{1,2}$, В. А. Крупенин$^1$, О. В. Снигирев$^1$

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 2017. № 5. С. 32

  • Статья
Аннотация

В работе экспериментально исследован электронный транспорт через одиночные примесные атомы фосфора, внедренные в кристаллическую структуру кремния. Разработан оригинальный метод изготовления из высоколегированного кремния на изоляторе наноструктур одноэлектронных транзисторов на основе единичных примесных атомов в кремнии. Метод изготовления основан на технологических процессах повсеместно используемых в полупроводниковой наноэлектронике, что делает возможным его широкое применение. Высокое значение характерной кулоновской энергии исследуемого одноэлектронного транзистора ($\sim20\,\text{мэВ}$ ) позволяло наблюдать одноэлектронные эффекты в широком диапазоне температур, вплоть до 77 К. Измерены и проанализированы диаграммы стабильности экспериментальных структур. Продемонстрированы образцы транзисторов, в которых управляемый электронный транспорт определялся одноэлектронным туннелированием через $2 \div 3$ примесных атома.

Поступила: 15 ноября 2016
Статья подписана в печать: 4 декабря 2017
PACS:
73.23.Hk Coulomb blockade; single-electron tunneling
English citation:
S. A. Dagesyan, V. V. Shorokhov, D. A. Presnov, E. S. Soldatov, A. S. Trifonov, V. A. Krupenin, O. V. Snigirev.
Single-electron transistor with island formed by several dopant phosphorus atoms.
Moscow University Physics Bulletin 2017. N 5.
Авторы
С. А. Дагесян$^1$, В. В. Шорохов$^1$, Д. Е. Преснов$^{1,2}$, Е. С. Солдатов$^1$, А. С. Трифонов$^{1,2}$, В. А. Крупенин$^1$, О. В. Снигирев$^1$
$^1$Московский государственный университет имени М.,В.~Ломоносова, физический факультет, кафедра полупроводников, лаборатория "Криоэлектроника"
$^2$Московский государственный университет имени М.,В.~Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В.Скобельцына.
Выпуск 5, 2017

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.