Особенности генерации гармоник поверхностных акустических волн в структурах пьезоэлектрик—полупроводник
Особенности генерации гармоник поверхностных акустических волн в структурах пьезоэлектрик—полупроводник
Л.А. Славутский, И.Ю. Солодов
Механизм образования предвестника ударной волны, распространяющейся по слабоионизованной неизотермической плазме
Механизм образования предвестника ударной волны, распространяющейся по слабоионизованной неизотермической плазме
А.В. Данилов, С.Ф. Теселкин
Классическое излучение релятивистских заряженных частиц при аксиальном каналировании
Классическое излучение релятивистских заряженных частиц при аксиальном каналировании
Б.В. Холомай
Турбулентные напряжения в модели природного вихря
Турбулентные напряжения в модели природного вихря
И.А. Морозов, А.А. Соловьев
Соотношение дискретность-тепловые колебания при осевом каналировании
Соотношение дискретность-тепловые колебания при осевом каналировании
А.К. Ичева, А.Г. Кадменский, В.В. Самарин
Тепловое расширение интерметаллидов С15 квазибинарной системы $Tb_{1-x}Ho_xAl_2$
Тепловое расширение интерметаллидов С15 квазибинарной системы $Tb_{1-x}Ho_xAl_2$
А.С. Илюшин, А.А. Николаев, О.В. Михнев
Фотовозбуждение прямозонного полупроводника с разными эффективными массами электрона и дырки
Фотовозбуждение прямозонного полупроводника с разными эффективными массами электрона и дырки
Т.М. Ильинова, Т.А. Куземченко
Исследован процесс фотовозбуждения прямозонного собственного невырожденного полупроводника с разными эффективными массами электрона и дырки. Рассмотрение проведено в трех предельных случаях внутризонной релаксации: медленной, быстрой и промежуточной. Найдены выражения для концентрации и средних энергий электронов и дырок. Изучено влияние электрон-электронной релаксации на процесс фотовозбуждения.
Показать АннотациюОпределение эффективности регистрации каналовых электронных умножителей методом анализа амплитудного распределения на выходе ненасыщенного канала
Определение эффективности регистрации каналовых электронных умножителей методом анализа амплитудного распределения на выходе ненасыщенного канала
Б.В. Марьин, Л.С. Новиков
Получено аналитическое соотношение для амплитудного распределения заряда на выходе каналовых электронных умножителей (КЭУ), работающих в ненасыщенном режиме, которое является функцией среднего коэффициента вторичной эмиссии, инициирующей процесс умножения первичной частицы. Предлагается методика определения эффективности регистрации КЭУ методом анализа формы амплитудного распределения заряда на выходе канала. Экспериментальные зависимости эффективности регистрации электронов для детекторов ВЭУ-6, полученные по предложенной методике, сравниваются с рядом других экспериментальных данных и хорошо согласуются с ними.
Показать АннотациюМиграция однофотонного пакета в периодически деформированной кристаллической решетке
Миграция однофотонного пакета в периодически деформированной кристаллической решетке
В. Бужек
На основе квантово-полевого микроскопического описания рассмотрена эволюция однофотонного волнового пакета в периодически деформированной решетке. Для данного случая доказана теорема Эвальда-Озеена.
Показать АннотациюО резонансном взаимодействии бомбардирующего электрона с молекулой кислорода, адсорбированной на окисной поверхности металла
О резонансном взаимодействии бомбардирующего электрона с молекулой кислорода, адсорбированной на окисной поверхности металла
Г.Г. Федоров
Рассматривается взаимодействие электрона с адсорбированной молекулой кислорода. Предложен механизм этого взаимодействия, объясняющий причину появления максимума электронно-стимулированной десорбции при энергии электронов, равной 13 эВ.
Показать Аннотацию