Развитие методов эмиссионной электроники для диагностики высокотемпературных характеристик переходных металлов
Развитие методов эмиссионной электроники для диагностики высокотемпературных характеристик переходных металлов
Л.Ю. Голоскокова, Б.Б. Шишкин
Показано, что существует температурная зависимость тепловой энтропии образования точечных дефектов S и предложена методика определения S(T) по результатам измерения вольт-амперных характеристик токов рекомбинационной эмиссии.
Показать АннотациюСтатическая магнитная восприимчивость углеводородных полимерных цепей
Статическая магнитная восприимчивость углеводородных полимерных цепей
М.Н. Зубцов, В.В. Ищенко
Предложен метод расчета статической магнитной восприимчивости полимерных углеводородных молекул, основанный на моделировании функции распределения электронной плотности молекулы произвольной длины.
Показать АннотациюРелятивистская теория гравитации и пространственная топология
Релятивистская теория гравитации и пространственная топология
А.А. Власов
Показано, что в РТГ 1) нетривиальных пространственных топологий при гравитационном коллапсе не возникает и 2) моделей Вселенной с нетривиальной топологией нет.
Показать АннотациюШтарковский сдвиг спектра электронов, локализованных над поверхностью жидкого гелия
Штарковский сдвиг спектра электронов, локализованных над поверхностью жидкого гелия
О.Ф. Дорофеев, Б.А. Лысов, О.С. Павлова
В третьем порядке теории возмущений рассчитан штарковский сдвиг первых трех энергетических уровней электронов, локализованных над поверхностью жидкого гелия. Полученные формулы хорошо согласуются с экспериментальными результатами для $^4Не$ и $^3Не$.
Показать АннотациюРасчет характеристик упругого рассеяния протонов с энергией 500 МэВ ядрами $^{90}Zr$ в дираковской оптической модели
Расчет характеристик упругого рассеяния протонов с энергией 500 МэВ ядрами $^{90}Zr$ в дираковской оптической модели
Ю.М. Шейнов
Проведены расчеты дифференциального сечения и поляризационных характеристик упругого рассеяния протонов с энергией $Т_p$ =500 МэВ ядрами $^{90}Zr$ в эйкональном приближении в рамках релятивистской оптической модели.
Показать АннотациюВозбуждение $3p^53d$ уровней аргона в борновском приближении искаженных волн
Возбуждение $3p^53d$ уровней аргона в борновском приближении искаженных волн
В.В. Балашов, А.Н. Грум-Гржимайло, А.А. Храпов
В борновском приближении искаженных волн получены дифференциальные и полные сечения возбуждения $3p^53d$ ($J = 1$) уровней аргона электронами промежуточной энергии. Рассмотрены электрон-фотонные корреляции при высвечивании этих уровней на основное и $Зр^54р$ состояния.
Показать АннотациюИсследование вынужденного излучения и ВКР в ИК области спектра при нерезонансном заселении уровней атомов Rb и Cs
Исследование вынужденного излучения и ВКР в ИК области спектра при нерезонансном заселении уровней атомов Rb и Cs
Т.С. Бимагамбетов, В.И. Одинцов
Экспериментально и теоретически исследованы энергетические характеристики вынужденного ИК излучения и ИК ВКР в парах Rb и Cs при возбуждении в условиях нерезонансного заселения начальных уровней.
Показать АннотациюВлияние ионов $Cr^{3+}$ на намагниченность гексаферритов со структурой Y
Влияние ионов $Cr^{3+}$ на намагниченность гексаферритов со структурой Y
Л.Г. Антошина, Е.Г. Кондратьева
Изучена намагниченность образцов системы $Ba_2Ni_2Fe_{12-x} Cr_хO_{22}$ (х = 0,0; 1,5 и 3,0). Установлено, что намагниченность сложным образом зависит от содержания хрома. Сделано предположение, что в хром-замещенных гексаферритах имеется неколлинеарное магнитное упорядочение.
Показать АннотациюВклад ближнего порядка и размерного эффекта в электросопротивление сплавов Cu—Zn
Вклад ближнего порядка и размерного эффекта в электросопротивление сплавов Cu—Zn
А.А. Кацнельсон, О.В. Крисько, В.М. Склонов, Т.В. Скоробогатова
Методом модельного потенциала проведен расчет остаточного электросопротивления сплава Cu - 15 ат. % Zn. Установлено аномальное влияние размерного эффекта на остаточное электросопротивление сплавов Cu—Zn (его понижение).
Показать АннотациюВлияние параметров эмиттера на разрешающую способность сканирующего туннельного микроскопа
Влияние параметров эмиттера на разрешающую способность сканирующего туннельного микроскопа
С.Д. Алекперов, С.И. Васильев, С.П. Молчанов
Рассмотрены условия, при которых параметры зондирующего эмиттера позволяют получить максимальное пространственное разрешение сканирующего туннельного микроскопа. Описана методика получения эмиттеров с заданными свойствами.
Показать Аннотацию