Ю.Б. Черняк, В.С. Яхот

Показана роль радиационно-стимулированной диффузии в процессе накопления дефектов под облучением. Объяснено явление расплывания пика дефектообразования с дозой, наблюдающееся в экспериментах.

Д.Ф. Курдгелаидзе

М.Н. Девятков, Г.И. Овчинникова

Н.Г. Гончарова, Г.С. Сагиян

П.В. Короленко

Ф.А. Живописцев, М. Юнус Акбари, В.А. Эльтеков

А.Я. Гойхман, В.Н. Калинин

В.Л. Бонч - Бруевич

В рамках обобщенной модели Луковского вычислены коэффициенты многофононного захвата носителей заряда глубокими нейтральными и одноименно заряженными ловушками в условиях нагрева электронного газа постоянным и однородным электрическим полем. Рассмотрены случаи, когда справедливо приближение электронной температуры и когда функция распределения носителей заряда по энергиям дается формулой Б.И. Давыдова, обобщенной на предмет учета примесного рассеяния. В этих условиях получены явные выражения для температурной и полевой зависимости коэффициентов захвата.

Б.С. Галахматова, 3.Ф. Калачева, М.Р. Омар, Е.А. Романовский, Т.И. Спасская, М.А. Султан, Ю.В. Рогачев

Метод толстых мишеней использован для получения непрерывной энергетической зависимости сечений упругого рассеяния протонов. Измерения проводились на циклотроне с фиксированной энергией пучка(Еp =6,5 Мэв). Приводятся функции возбуждения для С, Si и Са для θлаб= 120°.

А.И. Коломийцев

В работе найдено равновесное распределение заряда и потенциала вокруг винтовой краевой дислокаций, обусловленное как размерным эффектом, так и эффектом модуля.