Восстановление Р—I—N фотодиода при облучении его мощным импульсом света

Рассмотрен процесс рассасывания подвижных носителей заряда, накопленного в l-области Р—I—N фотодиода, после облучения его мощным светом. Предполагается, что процесс восстановления фотодиода происходит при постоянном обратном токе, протекающем через прибор. Полученные результаты позволяют оценить длительность процесса рассасывания носителей при различных интенсивностях освещения, предшествующего этому рассасыванию.