Аномалии фотомагнитного эффекта и состояние приповерхностного слоя в высокоомных кристаллах арсенида галлия

Исследованы полевые зависимости фотомагнитного (ФМ) тока короткого замыкания в освещенных поверхностно поглощаемым светом разных длин волн кристаллах GaAs с примесями кислорода, хрома, железа. В GaAs(O) с биполярной холловской подвижностью 0 « μ*(n)< μ(n) для i$_{фм} (B)обнаружены кроме обычной диффузионной компоненты n = i(+), линейные по магнитному полю. В обратные n =i(—), вклад которых растет с уменьшением глубины проникновения света. В области 50—77 К наблюдаются и максимум таких потоков, и резкий рост эффективной скорости поверхностной рекомбинации. В GaAs (Fe)μ*(n)= μ(n) монополярна при Т < 110 К; iфм(В) содержат в интервале температур 8—100 К явно нелинейные n-i(-)(В) и линейные р-i(+)(В). Максимум n-i(-) также наблюдается при 50—77 К. В GaAs (Сr) μ*(n)= μ(n)монополярна при комнатной температуре, и в p-iфм (В) также наблюдается вклад нелинейных по В n-i(-). Полученные результаты свидетельствуют о наличии общего для всех кристаллов слоя р-проводимости толщиной ≥ 10^(-5) см, располагающегося под слоем пространственного заряда. Наличие слоя приводит к сильной компенсации ФМ-токов в случаях объемной фотопроводимости n-типа и может создавать антизапорную систему с сильным уменьшением эффективной скорости поверхностной рекомбинации при объемной р-проводимости.