Аннотация
В работе исследуется вопрос о влиянии электронного облучения на рост пленок А1, Сu и Sb на монокристаллических образцах (NaCl) и неориентирующих подложках из ситалла и моноокиси кремния (SiOx). Показано, что при выращивании слоев указанных металлов на кристаллах NaCl электронная бомбардировка обычно приводит к снижению температуры эпитаксии. Пленки, осажденные на аморфных образцах при воздействии электронов, обладают большей степенью упорядоченности.
English citation: Effect of electron irradiation on the growth of films of certain metals (Al, Сu, Sb) on dielectric substrates
E.M. Dubinina, S.S. Elovikov, A.S. Ovsyanitskii, G.P. Netishenskayas and E.P. Kirilenko
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Е.М. Дубинина, С.С. Еловиков, А.С. Овсяницкий, Г.П. Нетишенская, Е.П. Кириленко
Кафедра электроники
Кафедра электроники