Аннотация
Изучены условия, при которых в неупорядоченном (аморфном или легированном кристаллическом) полупроводнике следует ожидать возникновения гладкого случайного поля. Показано, что такое поле может реализоваться в не слишком хорошо приготовленных образцах.
English citation: On the origin of a smooth random field in disordered semiconductors
V.L. Bоnсh - Bruevich
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.Л. Бонч - Бруевич
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д.1, стр.2.
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д.1, стр.2.
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.