Выпуск 2, 1981
Расчет мнимой части оптического потенциала в коллективной модели для сферических ядер
Расчет мнимой части оптического потенциала в коллективной модели для сферических ядер
Ф.А. Живописцев, X. Молина(Куба)
В работе исследуется угловая зависимость мнимой части оптического потенциала для четно-четных ядер в области малых энергий с учетом возбуждений низших коллективных состояний ядра-мишени. Показано, что основной вклад в Im Vopt дают низшие коллективные состояния ядра-мишени 2$^{+}$ и 3$^{-}$, которые почти полностью исчерпывают всю величину мнимой части оптического потенциала в области малых энергий. Вклады от образования составного ядра в Im Vopt, как показали расчеты, малы.
Показать АннотациюО предельном состоянии волна — интенсивный пучок в плазменной среде
О предельном состоянии волна — интенсивный пучок в плазменной среде
В.К. Гришин, С.Т. Иванов (Болгария), М.Ф. Каневский
Исследуется состояние волна-пучок в безграничной электронной плазме на этапе захвата волной и фазового перемешивания частиц. Состояние пучка описывается с помощью нелинейных самосогласованных уравнений, плазма остается линейной диспергирующей средой. Получены оценки, характеризующие перераспределение энергии начального пучка при одномодовой генерации продольного поля релятивистским электронным пучком малой плотности. Максимальный КПД генерации составляет ≈10% и достигается для нерелятивистских пучков при (n$_{0}$/n$_{p}$)$^{1/3}$ ≅0,5, где n$_{0,p}$ — плотности пучка и плазмы. Оценивается эффективность нагрева на этом этапе плазмы и пучка. Проводится сравнение с результатами численных экспериментов.
Показать АннотациюПространственно-поляризационная фильтрация электромагнитных волн
Пространственно-поляризационная фильтрация электромагнитных волн
Ю.В. Березин, А.Н. Талицкий
Рассмотрен пространственно-поляризационный фильтр (ППФ), предназначенный для подавления двухлучевой частично рассеянной помехи. Работа ППФ основана на предположении, что два луча помехи отличаются поляризацией и углами прихода. Проанализированы два варианта работы ППФ в случае подавления двухлучевой сосредоточенной помехи при приеме частично рассеянного двухлучевого сигнала в присутствии аддитивного шума. Получены аналитические выражения, определяющие возможный выигрыш в отношении сигнал/помеха при использовании ППФ.
Показать АннотациюВлияние электростатического поля на поступательное движение дислокаций при высокочастотной вибрации щелочно-галоидных кристаллов
Влияние электростатического поля на поступательное движение дислокаций при высокочастотной вибрации щелочно-галоидных кристаллов
Н.А. Тяпунина, А.А. Светашов
Исследовалось влияние электростатического поля на поступательное движение дислокаций при ультразвуковой вибрации. Подвижные дислокации в кристалле КСl создавались методом индентирования и выявлялись методом повторного травления. Из экспериментов следует, что совместное воздействие электрического и акустического полей не эквивалентно последовательному их действию на образец. При совместном действии на образец электрического и ультразвукового полей число сместившихся дислокаций и средняя длина краевых лучей в дислокационных розетках больше, чем под влиянием одного ультразвукового поля. Анализ результатов показал, что электрическое поле вызывает увеличение длины пробега и числа сместившихся дислокаций, но мало влияет на стартовые напряжения поступательного движения дислокаций.
Показать АннотациюТеория магнитных свойств обобщенной модели ферромагнитного металла
Теория магнитных свойств обобщенной модели ферромагнитного металла
А.В. Ведяев, Я.М. Нейматов
Исследована температурная зависимость намагниченности в обобщенной модели ферромагнитного металла, включающая в себя прямое взаимодействие ферромагнитных d-электронов и обмен d—f-типа. Показано, что при достаточно низких температурах, значительно меньших температуры Кюри T$_{c}$, в температурной зависимости намагниченности для подсистемы локализованных электронов наблюдается отклонение от закона «T$^{3/2}$» Блоха.
Показать АннотациюО происхождении гладкого случайного поля в неупорядоченных полупроводниках
О происхождении гладкого случайного поля в неупорядоченных полупроводниках
В.Л. Бонч - Бруевич
Изучены условия, при которых в неупорядоченном (аморфном или легированном кристаллическом) полупроводнике следует ожидать возникновения гладкого случайного поля. Показано, что такое поле может реализоваться в не слишком хорошо приготовленных образцах.
Показать АннотациюОценка нелинейных эффектов при вертикальном распространении в атмосфере немонохроматического звукового излучения
Оценка нелинейных эффектов при вертикальном распространении в атмосфере немонохроматического звукового излучения
С.Н. Куличков
Рассматривается процесс генерации разностной гармоники при вертикальном распространении в атмосфере двух близких по частоте акустических волн. На определенном расстоянии от источника возможен процесс перекачки энергии от разностной гармоники к первичным. Энергия разностной гармоники после образования разрыва в первичном излучении стремится к некоторому постоянному значению, определяемому отношением разностной и основных частот. Получено, что нелинейные эффекты в акустических волнах заметно проявляются только при значениях числа Маха, больших некоторой постоянной величины, зависящей от значений числа Кнудсена для атмосферы.
Показать АннотациюУширение спектральных линий как проблема теории флуктуаций в неравновесной плазме
Уширение спектральных линий как проблема теории флуктуаций в неравновесной плазме
Ю.Л. Климонтович, С.А. Сухин
В рамках кинетического подхода получено выражение для ударного профиля спектральной линии с учетом неупругих процессов. Оператор ширины и сдвига, соответствующий штарковскому уширению, определяется поведением спектральной плотности флуктуаций поля на низких частотах. Благодаря учету поляризации среды полученное выражение не содержит расходимости, отвечающей большим прицельным параметрам.
Показать АннотациюИсследование устойчивости линейных и линеаризованных систем по формулам свободного параметра аналитического метода траектории корней
Исследование устойчивости линейных и линеаризованных систем по формулам свободного параметра аналитического метода траектории корней
Г.А. Бендриков, В.И. Мифтахов
Рассмотрен графический метод определения областей устойчивости по свободному параметру систем, описываемых характеристическим уравнением φ$_{n}$(p)+ ψK$_{m}$(p)=0. В отличие от частотных методов, в нем используются более простые графики на действительной плоскости (ω $^{2}$, K). Метод удобен для исследования устойчивости систем высокого порядка и многоконтурных систем. Рассмотрены особенности применения метода в некоторых частных случаях. Работа проиллюстрирована числовыми примерами. В случае систем высокого порядка расчеты удобно проводить на ЦВМ.
Показать АннотациюО нелинейных системах, устойчивых в секторе Гурвица
О нелинейных системах, устойчивых в секторе Гурвица
Г.А. Бендриков, Г.А. Сидорова
Рассматриваются нелинейные системы автоматического регулирования, которые подчиняются критерию В.М. Попова об абсолютной устойчивости положения равновесия в секторе [0, k]. С использованием аппарата траекторий корней получены условия в общем виде, при которых этот сектор максимален и равен сектору Гурвица соответствующих линейных систем. Исследованы системы с линейной частью класса [3;m] и [4;m].
Показать АннотациюРегулярный минимум масштабного фактора сопутствующего пространства в теории тяготения Эйнштейна
Регулярный минимум масштабного фактора сопутствующего пространства в теории тяготения Эйнштейна
В.Г. Агаков
Показано существование аналитического решения уравнений Эйнштейна, содержащего максимальное число физически произвольных функций, в котором масштабный фактор R сопутствующего пространства проходит через регулярный минимум,соответствующий конечной плотности. Отдельно рассмотрены случаи идеальной и вязкой среды при полном задании закона вязкости. Вблизи регулярного минимума R рассмотрены характер деформации сопутствующего пространства, изменение объема и плотности идеальной и вязкой среды.
Показать АннотациюГлубокий хвост плотности состояний в сильно легированном полупроводнике
Глубокий хвост плотности состояний в сильно легированном полупроводнике
Н.В. Бурбаева
С учетом дебаевского экранирования рассмотрена задача о плотности состояний глубоких флуктуационных уровней в полупроводнике, легированном мелкими донорами и акцепторами. Найдены зависимости главного члена логарифма плотности состояний и радиуса локализации электрона 1/α от энергии ионизации Е, для различных значений параметра δ = N$_d$r$_{0}^{4}$/a$_{B}$, где N$_d$ концентрация доноров, r$_{0}$ — радиус экранирования, a$_{B}$ — боровcкий радиус изолированного атома примеси. Выяснено, что вид распределения атомов примеси в оптимальной флуктуации, потенциальная энергия электрона в оптимальной яме, а следовательно, и плотность состояний глубоких флуктуационных уровней существенно зависят от радиуса экранирования $r_{0}$.
Показать АннотациюРаспад β-твердого раствора в сплавах Zr с Nb, Mo, Al, V
Распад β-твердого раствора в сплавах Zr с Nb, Mo, Al, V
М.И. 3ахарова, А.А. Аминов
Методами рентгеноанализа моно- и поликристаллов и электронной микроскопии изучен структурный механизм и кинетика выделения из β-твердого раствора ω, α фаз и интерметаллических соединений ZrMo$_{2}$, Zr$_{3}$Al, ZrV$_{2}$. В сплаве Zr—Mo—Al установлено выделение из упорядоченной ОЦК β-твердого раствора упорядоченной ω$_{2}$ фазы.
Показать АннотациюДелокализация электронных примесных возбуждений в BaS—Вi-фосфорах
Делокализация электронных примесных возбуждений в BaS—Вi-фосфорах
Е.П. Ефанова
При температуре 80 К исследованы процессы делокализации А- и С-возбуждений ртутеподобного иона в «висмутовом» центре BaS—Bi-фосфоров путем рассмотрения характеристик фотостимулированной вспышки. Обнаружено, что при возбуждении в А-полосе не происходит делокализации электронных примесных возбуждений, а возбуждение в С-полосе сопровождается делокализацией, при которой осуществляется эффект запоминания места ионизации при отрыве электрона.
Показать АннотациюКалибровка излучателей звука в ограниченном объеме
Калибровка излучателей звука в ограниченном объеме
Н.Н. Нефедов
Предлагается способ расчета характеристик дальнего поля излучателя на основании измерения давления и его нормальной производной в ближнем поле излучателя в случае, когда условия свободного пространства не выполнены, т.е. границы однородной звуковой области влияют на создаваемое излучателем поле.
Показать АннотациюИсследование временных вариаций спектров пропускания водных растворов и их корреляция с космофизическими факторами
Исследование временных вариаций спектров пропускания водных растворов и их корреляция с космофизическими факторами
В.С. Цаплин, Ю.И. Логачев, Е.Л. Кондратьев
Дано обоснование постановки проведенного эксперимента. Получена корреляция спектра пропускания водного раствора при λ=810 нм с показаниями нейтронного монитора (коэффициент корреляции равен 0,63), что может служить указанием на связь между процессами, происходящими в космическом пространстве, и структурой водных растворов.
Показать АннотациюИсследования угловых спектров векторного поля, отраженного от слоя F2 ионосферы
Исследования угловых спектров векторного поля, отраженного от слоя F2 ионосферы
Ю.В. Березин, А.Н. Талицкий
Изложены результаты экспериментальных исследований двумерных угловых спектров ортогональных проекций вектора частично рассеянного поля, отраженного от слоя F$_{2}$ ионосферы при вертикальном зондировании. Обнаружено смещение центра углового спектра от невозмущенного направления, анизомерия рассеяния волны вдоль и поперек магнитного поля Земли, а также различие степени рассеяния ортогональных проекций поля.
Показать АннотациюИсследование вынужденного трехфотонного рассеяния света при возбуждении вблизи резонансных переходов атома рубидия
Исследование вынужденного трехфотонного рассеяния света при возбуждении вблизи резонансных переходов атома рубидия
В.А. Михайлов, В.И.Одинцов
Изучено спектральное распределение и интенсивность вынужденного трехфотонного рассеяния (ВТР) вблизи резонансных переходов атома рубидия 5$^2$S$_{1/2}$—5$^2$P$_{1/2,3/2}$ при возбуждении узкой (0,2 см$^{-1}$) перестраиваемой по частоте линией накачки с интенсивностью до 30 МВт/см$^2$. ВТР наблюдалось в виде широкой асимметричной линии. Значительно более медленный спад интенсивности всегда наблюдался с края линии, удаленного от резонансной частоты атомного перехода ω$_{0}$. Наибольшая энергия импульса ВТР достигалась при длинноволновых расстройках частоты накачки ω$_{L}$ от резонансной частоты ω$_{0}$ -ω$_{L}$sim 1-4$ см$^{-1}$. Изучена зависимость сдвига максимума линии ВТР от расстройки ω$_{0}$-ω$_{L}$. Показано, что положение максимума и распределение интенсивности линии ВТР хорошо согласуются с теоретическими оценками, учитывающими смещение атомных уровней вследствие динамического эффекта Штарка.
Показать АннотациюИзменение электрофизических свойств реальной поверхности германия при адсорбции атомов водорода
Изменение электрофизических свойств реальной поверхности германия при адсорбции атомов водорода
В.И. Гринев, В.Ф. Киселев
Адсорбция атомов водорода на реальной поверхности монокристалла германия, вакуумированного при 700 К, приводит к значительному росту монотонной компоненты скорости поверхностной рекомбинации при практически неизменном захвате носителей заряда на быстрые поверхностные состояния. Квазинепрерывный спектр рекомбинационных центров независим от спектра быстрых состояний.
Показать АннотациюАртефакты, вносимые электро-полировкой в аустенитные сплавы на основе Fe—Ni
Артефакты, вносимые электро-полировкой в аустенитные сплавы на основе Fe—Ni
А.X. Матутес (Куба), Н.А. Хатанова
При изучении структурных состояний в сплавах Fe—19% Ni—10% Ru, Fe— 27% Ni — 2% Ru, Fe — 34,4% Ni, находящихся в аустенитном состоянии с ГЦК решеткой, обнаружено образование в процессе электрополировки частиц твердого раствора Fe и Ru в NiO. В сплаве Fe — 20% Ni, имеющем структуру α-фазы с ОЦК решеткой, образование подобных частиц не наблюдалось. Формирование частиц(Fe, Ru, Ni)O объясняется внедрением атомов кислорода в решетку аустенита.
Показать АннотациюСтруйная модель турбулентного течения руслового потока
Струйная модель турбулентного течения руслового потока
О.Н. Мельникова
Описание автоионизационных состояний многозарядных гелиеподобных ионов в приближении промежуточной связи
Описание автоионизационных состояний многозарядных гелиеподобных ионов в приближении промежуточной связи
А. Ваге (Сенегал), П.Б. Иванов, В.С. Сенашенко, Е.Ю. Черкашин
На основе диагонализационного метода вычислены энергии возбуждения и ширины сходящихся к порогу $n=2$ иона-остатка автоионизационных $^1$Р$_{1}^{(-)}$ и $^3$Р$_{1}^{(-)}$ состояний ионов Fe$^{24+}$. Расчеты проводились с учетом спин-орбитального взаимодействия, а также в приближении $LS$-связи. Сравнение полученных результатов с расчетами, включавшими полный оператор Брейта, показывает, что в расчетах ширин автоионизационных уровней гелиеподобных ионов железа в приближении промежуточной связи достаточно ограничиться включением лишь одночастичного оператора спин-орбитального взаимодействия. При этом учет смешивания конфигураций по главному квантовому числу приводит к незначительным изменениям энергий возбуждения и ширин рассмотренных автоионизационных уровней.
Показать АннотациюДиаграмма типа Пенроуза для алгебраической классификации электромагнитных полей
Диаграмма типа Пенроуза для алгебраической классификации электромагнитных полей
В.В. Кислов
Рассматривается алгебраическая классификация электромагнитных полей на основе исследования характеристических λ матриц для тензора поля F$_{μν}$. Строится диаграмма типа Петрова—Пенроуза для электромагнитных полей. Рассматривается аналогия между некоторыми точными решениями для гравитационного и электромагнитного полей.
Показать Аннотацию