Глубокий хвост плотности состояний в сильно легированном полупроводнике

С учетом дебаевского экранирования рассмотрена задача о плотности состояний глубоких флуктуационных уровней в полупроводнике, легированном мелкими донорами и акцепторами. Найдены зависимости главного члена логарифма плотности состояний и радиуса локализации электрона 1/α от энергии ионизации Е, для различных значений параметра δ = N$_d$r$_{0}^{4}$/a$_{B}$, где N$_d$ концентрация доноров, r$_{0}$ — радиус экранирования, a$_{B}$ — боровcкий радиус изолированного атома примеси. Выяснено, что вид распределения атомов примеси в оптимальной флуктуации, потенциальная энергия электрона в оптимальной яме, а следовательно, и плотность состояний глубоких флуктуационных уровней существенно зависят от радиуса экранирования $r_{0}$.