Электронно-микроскопическое изучение распределения радиационных дефектов в NaCl

В работе представлены данные по исследованию поперечного скола облученного ионами аргона кристалла NaCl (E=3кэВ, плотность тока 100 мкА/см$^2$, облучение плоскости (100), скол по (010)) при температуре 180°С. Методом вакуумного декорирования выявляются области локализации дефектов в плоскости скола и наблюдается радиационная эрозия профиля приповерхностного слоя кристалла при различных углах (40—90°) и различных дозах облучения ($10^{17}$-$10^{19}$ ion/$cm^{2}$). На основания полученных данных делается вывод, что наблюдаемые методом декорирования размеры радиационно-поврежденной области и характер эрозии приповерхностного слоя при ионном облучении обусловлены диффузией радиационных дефектов.