О высокотемпературных перезарядках глубоких центров и эффектах неупорядоченности в GaAs, легированном хромом

При комнатной температуре исследованы закономерности изменения фоточувствительности(ФЧ) кристаллов GaAs(Cr) спектральными и интегральными подсветками. Обнаружена невоспроизводимость спектрального фотоответа $i_{\text{м}}$ в максимуме собственной ФЧ. Из того что временная релаксация $\rho _{T}(t), \mu^{*}_{nT}(t)$ после засветок в области примесного эффекта гашения (ЭГ) идет в течение суток, сделано заключение о важной роли глубоких доноров в формированиrи ФЧ GaAs(Cr), а также о наличии в $n$-образцах компенсационной неоднородности, связанной с сильным заполнением рабочих уровней электронами. Показано, что эффекты стимуляции могут быть обусловлены ликвидацией неоднородности подсветкой, даже такой, которая при больших $I$ вызывает ЭГ преимущественной генерацией дырок.