Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Краткое сообщение

О высокотемпературных перезарядках глубоких центров и эффектах неупорядоченности в GaAs, легированном хромом

В.В. Остробородова, Л.Г. Радовильская

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1982. № 2. С. 78

  • Статья
Аннотация

При комнатной температуре исследованы закономерности изменения фоточувствительности(ФЧ) кристаллов GaAs(Cr) спектральными и интегральными подсветками. Обнаружена невоспроизводимость спектрального фотоответа $i_{\text{м}}$ в максимуме собственной ФЧ. Из того что временная релаксация $\rho _{T}(t), \mu^{*}_{nT}(t)$ после засветок в области примесного эффекта гашения (ЭГ) идет в течение суток, сделано заключение о важной роли глубоких доноров в формированиrи ФЧ GaAs(Cr), а также о наличии в $n$-образцах компенсационной неоднородности, связанной с сильным заполнением рабочих уровней электронами. Показано, что эффекты стимуляции могут быть обусловлены ликвидацией неоднородности подсветкой, даже такой, которая при больших $I$ вызывает ЭГ преимущественной генерацией дырок.

Авторы
В.В. Остробородова, Л.Г. Радовильская
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д.1, стр.2.
Выпуск 2, 1982

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.